N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STW48N60DM2
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serie
MDmesh DM2
Tip pachet
TO-247
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
79 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
15.75mm
Latime
5.15mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Inaltime
20.15mm
Detalii produs
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 6,36
€ 6,36 Buc. (fara TVA)
€ 7,57
€ 7,57 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 6,36
€ 6,36 Buc. (fara TVA)
€ 7,57
€ 7,57 Buc. (cu TVA)
Standard
1
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serie
MDmesh DM2
Tip pachet
TO-247
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
79 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
15.75mm
Latime
5.15mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Inaltime
20.15mm
Detalii produs
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse