STMicroelectronics MDmesh DM2 N-Channel MOSFET, 22 A, 650 V, 3-Pin TO-247 STW28N60DM2
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Tip pachet
TO-247
Serie
MDmesh DM2
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
160 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Lungime
15.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
39 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
5.15mm
Inaltime
20.15mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 89,10
€ 2,97 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)
€ 107,81
€ 3,594 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)
30
€ 89,10
€ 2,97 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)
€ 107,81
€ 3,594 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
30
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 2,97 | € 89,10 |
| 60 - 120 | € 2,35 | € 70,50 |
| 150+ | € 2,10 | € 63,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Tip pachet
TO-247
Serie
MDmesh DM2
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
160 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Lungime
15.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
39 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
5.15mm
Inaltime
20.15mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse