STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 11 A, 900 V, 3-Pin TO-247 STW12NK90Z
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Tip pachet
TO-247
Serie
MDmesh, SuperMESH
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
880 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
230 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.75mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
113 nC @ 10 V
Latime
5.15mm
Inaltime
20.15mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 6,31
€ 6,31 Buc. (fara TVA)
€ 7,51
€ 7,51 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 6,31
€ 6,31 Buc. (fara TVA)
€ 7,51
€ 7,51 Buc. (cu TVA)
Standard
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 9 | € 6,31 |
| 10 - 99 | € 5,34 |
| 100 - 499 | € 4,25 |
| 500 - 999 | € 3,71 |
| 1000+ | € 3,13 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Tip pachet
TO-247
Serie
MDmesh, SuperMESH
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
880 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
230 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.75mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
113 nC @ 10 V
Latime
5.15mm
Inaltime
20.15mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse