P-Channel MOSFET, 10 A, 40 V, 8-Pin SOIC STMicroelectronics STS10P4LLF6
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serie
STripFET
Tip pachet
SOIC
Montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC @ 4.5 V
Inaltime
1.5mm
Forward Diode Voltage
1.1V
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 2.300,00
€ 0,92 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 2.737,00
€ 1,095 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
€ 2.300,00
€ 0,92 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 2.737,00
€ 1,095 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serie
STripFET
Tip pachet
SOIC
Montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC @ 4.5 V
Inaltime
1.5mm
Forward Diode Voltage
1.1V
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse