STMicroelectronics P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 STR2P3LLH6
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
STripFET
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
90 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
1.75mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.3mm
Forward Diode Voltage
1.1V
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 97,50
€ 0,39 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 116,02
€ 0,464 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
250
€ 97,50
€ 0,39 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 116,02
€ 0,464 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
250
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 250 - 450 | € 0,39 | € 19,50 |
| 500+ | € 0,35 | € 17,50 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
STripFET
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
90 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
1.75mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.3mm
Forward Diode Voltage
1.1V
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse