STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 17.5 A, 950 V, 3-Pin TO-220 STP20N95K5

Nr. stoc RS: 877-2961Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STP20N95K5
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

17.5 A

Maximum Drain Source Voltage

950 V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

330 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

250 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Latime

4.6mm

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

40 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Inaltime

15.75mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.5V

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 20,30

€ 4,06 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 24,16

€ 4,831 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 17.5 A, 950 V, 3-Pin TO-220 STP20N95K5
Selectati tipul de ambalaj

€ 20,30

€ 4,06 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 24,16

€ 4,831 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 17.5 A, 950 V, 3-Pin TO-220 STP20N95K5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

17.5 A

Maximum Drain Source Voltage

950 V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

330 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

250 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Latime

4.6mm

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

40 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Inaltime

15.75mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.5V

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe