STMicroelectronics SCTH90 SiC N-Channel MOSFET, 116 A, 650 V, 7-Pin H2PAK-7 SCTH90N65G2V-7

Nr. stoc RS: 201-0869Producator: STMicroelectronicsCod de producator: SCTH90N65G2V-7
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

116 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

SCTH90

Tip pachet

H²PAK-7

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

7

Maximum Drain Source Resistance

0.024 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

1

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 29,73

€ 29,73 Buc. (fara TVA)

€ 35,97

€ 35,97 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics SCTH90 SiC N-Channel MOSFET, 116 A, 650 V, 7-Pin H2PAK-7 SCTH90N65G2V-7
Selectati tipul de ambalaj

€ 29,73

€ 29,73 Buc. (fara TVA)

€ 35,97

€ 35,97 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics SCTH90 SiC N-Channel MOSFET, 116 A, 650 V, 7-Pin H2PAK-7 SCTH90N65G2V-7

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

116 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

SCTH90

Tip pachet

H²PAK-7

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

7

Maximum Drain Source Resistance

0.024 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

1

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe