SiC N-Channel MOSFET Module, 65 A, 1200 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCT50N120
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Serie
SCT
Tip pachet
Hip247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
0.59 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 1.014,00
€ 33,80 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)
€ 1.206,66
€ 40,222 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)
30
€ 1.014,00
€ 33,80 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)
€ 1.206,66
€ 40,222 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)
30
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Serie
SCT
Tip pachet
Hip247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
0.59 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse