STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 5 A, 40 V, 10-Pin PowerSO PD55015-E

Nr. stoc RS: 829-0627PProducator: STMicroelectronicsCod de producator: PD55015-E
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Tip pachet

PowerSO

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

10

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

73 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

9.5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

9.6mm

Temperatura maxima de lucru

+165 °C

Inaltime

3.6mm

Typical Power Gain

14 dB

Detalii produs

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 17,64

€ 17,64 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

€ 20,99

€ 20,99 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 5 A, 40 V, 10-Pin PowerSO PD55015-E
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Tub)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 17,64
2€ 35,28
3€ 52,92
4€ 70,56
5€ 88,20
6€ 105,84
7€ 123,48
8€ 141,12
9€ 158,76
10€ 176,40
11€ 194,04
12€ 211,68
13€ 229,32
14€ 246,96
15€ 264,60

€ 17,64

€ 17,64 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

€ 20,99

€ 20,99 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 5 A, 40 V, 10-Pin PowerSO PD55015-E
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Tub)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 17,64
2€ 35,28
3€ 52,92
4€ 70,56
5€ 88,20
6€ 105,84
7€ 123,48
8€ 141,12
9€ 158,76
10€ 176,40
11€ 194,04
12€ 211,68
13€ 229,32
14€ 246,96
15€ 264,60

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Tip pachet

PowerSO

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

10

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

73 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

9.5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

9.6mm

Temperatura maxima de lucru

+165 °C

Inaltime

3.6mm

Typical Power Gain

14 dB

Detalii produs

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe