onsemi N-Channel MOSFET, 252 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 NVMYS1D3N04CTWG

Nr. stoc RS: 185-9246Producator: onsemiCod de producator: NVMYS1D3N04CTWG
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

252 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Tip pachet

LFPAK, SOT-669

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

1.15 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

134 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

4.25mm

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

75 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Inaltime

1.2mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Tara de origine

Philippines

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii indisponibile despre stoc

€ 3,84

€ 0,96 Buc. (Intr-un pachet de 4) (fara TVA)

€ 4,57

€ 1,142 Buc. (Intr-un pachet de 4) (cu TVA)

onsemi N-Channel MOSFET, 252 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 NVMYS1D3N04CTWG
Selectati tipul de ambalaj

€ 3,84

€ 0,96 Buc. (Intr-un pachet de 4) (fara TVA)

€ 4,57

€ 1,142 Buc. (Intr-un pachet de 4) (cu TVA)

onsemi N-Channel MOSFET, 252 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 NVMYS1D3N04CTWG
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

252 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Tip pachet

LFPAK, SOT-669

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

1.15 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

134 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

4.25mm

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

75 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Inaltime

1.2mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Tara de origine

Philippines

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe