onsemi NVD5C434N N-Channel MOSFET, 163 A, 40 V, 3-Pin DPAK NVD5C434NT4G

Nr. stoc RS: 141-3991Producator: onsemiCod de producator: NVD5C434NT4G
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

163 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Serie

NVD5C434N

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

2.1 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

117 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

6.22mm

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

80.6 nC @ 10 V

Automotive Standard

AEC-Q101

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Inaltime

2.38mm

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 40V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 7,08

€ 3,54 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)

€ 8,43

€ 4,213 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)

onsemi NVD5C434N N-Channel MOSFET, 163 A, 40 V, 3-Pin DPAK NVD5C434NT4G
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 2.

Productie -

Disponibil in multiplu de 2.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

2

Disponibil in multiplu de 2
2€ 7,08
4€ 14,16
6€ 21,24
8€ 28,32
10€ 35,40
12€ 42,48
14€ 49,56
16€ 56,64
18€ 63,72
20€ 60,80
22€ 66,88
24€ 72,96
26€ 79,04
28€ 85,12
30€ 91,20

€ 7,08

€ 3,54 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)

€ 8,43

€ 4,213 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)

onsemi NVD5C434N N-Channel MOSFET, 163 A, 40 V, 3-Pin DPAK NVD5C434NT4G
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 2.

Productie -

Disponibil in multiplu de 2.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

2

Disponibil in multiplu de 2
2€ 7,08
4€ 14,16
6€ 21,24
8€ 28,32
10€ 35,40
12€ 42,48
14€ 49,56
16€ 56,64
18€ 63,72
20€ 60,80
22€ 66,88
24€ 72,96
26€ 79,04
28€ 85,12
30€ 91,20

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Pachet
2 - 18€ 3,54€ 7,08
20 - 198€ 3,04€ 6,08
200 - 998€ 2,62€ 5,24
1000+€ 2,29€ 4,58

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

163 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Serie

NVD5C434N

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

2.1 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

117 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

6.22mm

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

80.6 nC @ 10 V

Automotive Standard

AEC-Q101

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Inaltime

2.38mm

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 40V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe