onsemi N-Channel MOSFET, 222 A, 100 V, 3-Pin TO-220F FDPF2D3N10C
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
222 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
TO-220F
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.9mm
Lungime
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
108 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Inaltime
16.07mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 2.900,00
€ 2,90 Each (In a Tube of 1000) (fara TVA)
€ 3.509,00
€ 3,509 Each (In a Tube of 1000) (cu TVA)
1000
€ 2.900,00
€ 2,90 Each (In a Tube of 1000) (fara TVA)
€ 3.509,00
€ 3,509 Each (In a Tube of 1000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
1000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
222 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
TO-220F
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.9mm
Lungime
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
108 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Inaltime
16.07mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse