RFP50N06 N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V MegaFET, 3-Pin TO-220AB ON Semiconductor
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
TO-220AB
Serie
MegaFET
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
131 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
10.67mm
Latime
4.83mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
125 nC @ 20 V
Number of Elements per Chip
1
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
9.4mm
Detalii produs
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor
The MegaFET process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilisation of silicon, resulting in outstanding performance.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
P.O.A.
Impachetare pentru productie (Banda)
1
P.O.A.
Impachetare pentru productie (Banda)
1
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
TO-220AB
Serie
MegaFET
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
131 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
10.67mm
Latime
4.83mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
125 nC @ 20 V
Number of Elements per Chip
1
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
9.4mm
Detalii produs
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor
The MegaFET process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilisation of silicon, resulting in outstanding performance.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse