N-Channel MOSFET, 61 A, 500 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN64N50P
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
61 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Serie
HiperFET, Polar
Tip pachet
SOT-227
Montare
Screw Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
85 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Maximum Power Dissipation
700 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Lungime
38.23mm
Latime
25.42mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
150 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
9.6mm
Detalii produs
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 31,18
€ 31,18 Buc. (fara TVA)
€ 37,10
€ 37,10 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 31,18
€ 31,18 Buc. (fara TVA)
€ 37,10
€ 37,10 Buc. (cu TVA)
Standard
1
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 4 | € 31,18 |
| 5+ | € 26,85 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
61 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Serie
HiperFET, Polar
Tip pachet
SOT-227
Montare
Screw Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
85 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Maximum Power Dissipation
700 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Lungime
38.23mm
Latime
25.42mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
150 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
9.6mm
Detalii produs
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse