N-Channel MOSFET, 115 A, 300 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN140N30P

Nr. stoc RS: 193-739Producator: IXYSCod de producator: IXFN140N30P
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

115 A

Maximum Drain Source Voltage

300 V

Serie

HiperFET, Polar

Tip pachet

SOT-227

Montare

Screw Mount

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

24 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

700 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

185 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

38.2mm

Latime

25.07mm

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

9.6mm

Detalii produs

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 38,70

€ 38,70 Buc. (fara TVA)

€ 46,05

€ 46,05 Buc. (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 115 A, 300 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN140N30P
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 38,70
2€ 75,24
3€ 112,86
4€ 150,48
5€ 180,90
6€ 217,08
7€ 253,26
8€ 289,44
9€ 325,62
10€ 361,80
11€ 397,98
12€ 434,16
13€ 470,34
14€ 506,52
15€ 542,70

€ 38,70

€ 38,70 Buc. (fara TVA)

€ 46,05

€ 46,05 Buc. (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 115 A, 300 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN140N30P
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 38,70
2€ 75,24
3€ 112,86
4€ 150,48
5€ 180,90
6€ 217,08
7€ 253,26
8€ 289,44
9€ 325,62
10€ 361,80
11€ 397,98
12€ 434,16
13€ 470,34
14€ 506,52
15€ 542,70

Cumpara in pachete mari

CantitatePret unitar
1 - 1€ 38,70
2 - 4€ 37,62
5+€ 36,18

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

115 A

Maximum Drain Source Voltage

300 V

Serie

HiperFET, Polar

Tip pachet

SOT-227

Montare

Screw Mount

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

24 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

700 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

185 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

38.2mm

Latime

25.07mm

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

9.6mm

Detalii produs

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe