N-Channel MOSFET, 23 A, 100 V, 3-Pin TO-220 FP Infineon IRLI540NPBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
TO-220 FP
Serie
HEXFET
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
44 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
54 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Typical Gate Charge @ Vgs
74 nC @ 5 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
10.6mm
Transistor Material
Si
Latime
4.8mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
9.8mm
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,61
Buc. (fara TVA)
€ 0,73
Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 0,61
Buc. (fara TVA)
€ 0,73
Buc. (cu TVA)
Standard
1
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
TO-220 FP
Serie
HEXFET
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
44 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
54 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Typical Gate Charge @ Vgs
74 nC @ 5 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
10.6mm
Transistor Material
Si
Latime
4.8mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
9.8mm
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse