Modificări în Graficul Livrărilor!

Comenzile plasate în perioada 18.12.2024 - 07.01.2025 vor fi livrate începând cu 08.01.2025. COMPEC va fi închis în perioada 23.12.2024 - 07.01.2025. Începând cu data de 08.01.2025 expedierile vor fi realizate conform graficului obișnuit.

Dual SiC N-Channel MOSFET, 122 A, 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB023N04NF2SATMA1

Nr. stoc RS: 262-5857Producator: InfineonCod de producator: IPB023N04NF2SATMA1
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

122 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Tip pachet

PG-TO263-3

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 1,89

Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 2,249

Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 122 A, 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB023N04NF2SATMA1
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

5

Disponibil in multiplu de 5
5€ 9,45
10€ 18,90
15€ 28,35
20€ 37,80
25€ 47,25
30€ 56,70
35€ 66,15
40€ 75,60
45€ 85,05
50€ 81,00
55€ 89,10
60€ 97,20
65€ 105,30
70€ 113,40
75€ 121,50

€ 1,89

Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 2,249

Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 122 A, 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB023N04NF2SATMA1
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

5

Disponibil in multiplu de 5
5€ 9,45
10€ 18,90
15€ 28,35
20€ 37,80
25€ 47,25
30€ 56,70
35€ 66,15
40€ 75,60
45€ 85,05
50€ 81,00
55€ 89,10
60€ 97,20
65€ 105,30
70€ 113,40
75€ 121,50

Cumpara in pachete mari

CantitatePret unitarPer Pachet
5 - 45€ 1,89€ 9,45
50 - 120€ 1,62€ 8,10
125 - 245€ 1,50€ 7,50
250 - 495€ 1,40€ 7,00
500+€ 1,28€ 6,40

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

122 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Tip pachet

PG-TO263-3

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe