Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 430 mA, 250 V, 3-Pin SOT-223 BSP317PH6327XTSA1

Nr. stoc RS: 753-2813PProducator: InfineonCod de producator: BSP317PH6327XTSA1
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

430 mA

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Serie

SIPMOS®

Tip pachet

SOT-223

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

11.6 nC @ 10 V

Latime

3.5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.5mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1.6mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 5,40

€ 0,54 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 6,53

€ 0,653 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 430 mA, 250 V, 3-Pin SOT-223 BSP317PH6327XTSA1
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10€ 5,40
20€ 10,80
30€ 16,20
40€ 21,60
50€ 27,00
60€ 32,40
70€ 37,80
80€ 43,20
90€ 48,60
100€ 54,00
110€ 59,40
120€ 64,80
130€ 70,20
140€ 75,60
150€ 81,00

€ 5,40

€ 0,54 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 6,53

€ 0,653 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 430 mA, 250 V, 3-Pin SOT-223 BSP317PH6327XTSA1

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10€ 5,40
20€ 10,80
30€ 16,20
40€ 21,60
50€ 27,00
60€ 32,40
70€ 37,80
80€ 43,20
90€ 48,60
100€ 54,00
110€ 59,40
120€ 64,80
130€ 70,20
140€ 75,60
150€ 81,00

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

430 mA

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Serie

SIPMOS®

Tip pachet

SOT-223

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

11.6 nC @ 10 V

Latime

3.5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.5mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1.6mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe