Infineon HEXFET Silicon P-Channel MOSFET, 13 A, 150 V, 3-Pin DPAK AUIRFR6215TRL

Nr. stoc RS: 229-1744Producator: InfineonCod de producator: AUIRFR6215TRL
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

13 A

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Serie

HEXFET

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.295 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Transistor Material

Silicon

Number of Elements per Chip

1

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 15,00

€ 3,00 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 18,15

€ 3,63 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Infineon HEXFET Silicon P-Channel MOSFET, 13 A, 150 V, 3-Pin DPAK AUIRFR6215TRL
Selectati tipul de ambalaj

€ 15,00

€ 3,00 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 18,15

€ 3,63 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Infineon HEXFET Silicon P-Channel MOSFET, 13 A, 150 V, 3-Pin DPAK AUIRFR6215TRL

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
5 - 45€ 3,00€ 15,00
50 - 120€ 2,61€ 13,05
125 - 245€ 2,44€ 12,20
250 - 495€ 2,24€ 11,20
500+€ 2,05€ 10,25

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

13 A

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Serie

HEXFET

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.295 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Transistor Material

Silicon

Number of Elements per Chip

1

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe