Wolfspeed SiC N-Channel MOSFET, 11.5 A, 900 V, 3-Pin TO-247 C3M0280090D
Documente tehnice
Specificatii
Marca
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.5 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
360 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
54 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +18 V
Latime
21.1mm
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Lungime
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.5 nC @ 15 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
5.21mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
4.8V
Tara de origine
China
Detalii produs
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 10,32
€ 5,16 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 12,28
€ 6,14 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Standard
2
€ 10,32
€ 5,16 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 12,28
€ 6,14 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Standard
2
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 5,16 | € 10,32 |
| 10 - 28 | € 4,79 | € 9,58 |
| 30 - 58 | € 4,61 | € 9,22 |
| 60 - 118 | € 4,46 | € 8,92 |
| 120+ | € 4,30 | € 8,60 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.5 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
360 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
54 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +18 V
Latime
21.1mm
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Lungime
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.5 nC @ 15 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
5.21mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
4.8V
Tara de origine
China
Detalii produs
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse