Wolfspeed C3M SiC N-Channel MOSFET, 22 A, 1000 V, 7-Pin D2PAK C3M0120100J

Nr. stoc RS: 150-3947Producator: WolfspeedCod de producator: C3M0120100J
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

22 A

Maximum Drain Source Voltage

1000 V

Serie

C3M

Tip pachet

TO-263-7

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

7

Maximum Drain Source Resistance

170 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.8V

Maximum Power Dissipation

83 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

+15 V, +9 V

Latime

9.12mm

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.23mm

Typical Gate Charge @ Vgs

21.5 @ 4/+15 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

4.32mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

4.8V

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 615,50

€ 12,31 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)

€ 744,76

€ 14,895 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)

Wolfspeed C3M SiC N-Channel MOSFET, 22 A, 1000 V, 7-Pin D2PAK C3M0120100J

€ 615,50

€ 12,31 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)

€ 744,76

€ 14,895 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)

Wolfspeed C3M SiC N-Channel MOSFET, 22 A, 1000 V, 7-Pin D2PAK C3M0120100J

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Tub
50 - 100€ 12,31€ 615,50
150 - 200€ 11,72€ 586,00
250+€ 11,33€ 566,50

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

22 A

Maximum Drain Source Voltage

1000 V

Serie

C3M

Tip pachet

TO-263-7

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

7

Maximum Drain Source Resistance

170 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.8V

Maximum Power Dissipation

83 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

+15 V, +9 V

Latime

9.12mm

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.23mm

Typical Gate Charge @ Vgs

21.5 @ 4/+15 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

4.32mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

4.8V

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe