Wolfspeed SiC N-Channel MOSFET, 23 A, 900 V, 3-Pin TO-247 C3M0120090D
Documente tehnice
Specificatii
Marca
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
155 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
97 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +18 V
Latime
21.1mm
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Lungime
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.3 nC @ 15 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
5.21mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
4.8V
Tara de origine
China
Detalii produs
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 44,60
€ 8,92 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 53,07
€ 10,61 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
5
€ 44,60
€ 8,92 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 53,07
€ 10,61 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 5 - 9 | € 8,92 |
| 10 - 29 | € 8,62 |
| 30 - 89 | € 8,31 |
| 90+ | € 8,04 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
155 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
97 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +18 V
Latime
21.1mm
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Lungime
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.3 nC @ 15 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
5.21mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
4.8V
Tara de origine
China
Detalii produs
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse