SiC N-Channel MOSFET, 35 A, 1000 V, 4-Pin TO-247-4 Wolfspeed C3M0065100K

Nr. stoc RS: 125-3453PProducator: WolfspeedCod de producator: C3M0065100K
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Wolfspeed

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Maximum Drain Source Voltage

1000 V

Serie

C3M

Tip pachet

TO-247-4

Montare

Through Hole

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

90 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.8V

Maximum Power Dissipation

113.5 W

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +19 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

16.13mm

Typical Gate Charge @ Vgs

35 nC @ 15 V, 35 nC @ 4 V

Latime

5.21mm

Transistor Material

SiC

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

4.8V

Inaltime

23.6mm

Detalii produs

Silicon Carbide Power MOSFET, C3M Series, Cree Inc.

MOSFET Transistors, Cree Inc.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 19,41

Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

€ 23,10

Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)

SiC N-Channel MOSFET, 35 A, 1000 V, 4-Pin TO-247-4 Wolfspeed C3M0065100K
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Tub)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

25

Disponibil in multiplu de 25
25€ 485,25
26€ 504,66
27€ 524,07
28€ 543,48
29€ 562,89
30€ 582,30
31€ 601,71
32€ 621,12
33€ 640,53
34€ 659,94
35€ 679,35
36€ 698,76
37€ 718,17
38€ 737,58
39€ 756,99

€ 19,41

Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

€ 23,10

Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)

SiC N-Channel MOSFET, 35 A, 1000 V, 4-Pin TO-247-4 Wolfspeed C3M0065100K
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Tub)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

25

Disponibil in multiplu de 25
25€ 485,25
26€ 504,66
27€ 524,07
28€ 543,48
29€ 562,89
30€ 582,30
31€ 601,71
32€ 621,12
33€ 640,53
34€ 659,94
35€ 679,35
36€ 698,76
37€ 718,17
38€ 737,58
39€ 756,99

Cumpara in pachete mari

CantitatePret unitar
25 - 74€ 19,41
75 - 149€ 18,74
150+€ 18,14

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Wolfspeed

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Maximum Drain Source Voltage

1000 V

Serie

C3M

Tip pachet

TO-247-4

Montare

Through Hole

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

90 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.8V

Maximum Power Dissipation

113.5 W

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +19 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

16.13mm

Typical Gate Charge @ Vgs

35 nC @ 15 V, 35 nC @ 4 V

Latime

5.21mm

Transistor Material

SiC

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

4.8V

Inaltime

23.6mm

Detalii produs

Silicon Carbide Power MOSFET, C3M Series, Cree Inc.

MOSFET Transistors, Cree Inc.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe