Wolfspeed SiC N-Channel MOSFET, 36 A, 900 V, 3-Pin TO-247 C3M0065090D
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
36 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
78 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +18 V
Latime
21.1mm
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Lungime
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
30.4 nC @ 15 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
5.21mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
4.8V
Tara de origine
China
Detalii produs
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 19,64
€ 19,64 Buc. (fara TVA)
€ 23,76
€ 23,76 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 19,64
€ 19,64 Buc. (fara TVA)
€ 23,76
€ 23,76 Buc. (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 4 | € 19,64 |
| 5 - 9 | € 18,40 |
| 10 - 29 | € 17,77 |
| 30 - 89 | € 17,10 |
| 90+ | € 16,51 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
36 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
78 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +18 V
Latime
21.1mm
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Lungime
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
30.4 nC @ 15 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
5.21mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
4.8V
Tara de origine
China
Detalii produs
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse