Wolfspeed SiC N-Channel MOSFET, 31 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 C2M0080120D
Documente tehnice
Specificatii
Marca
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
31 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
208 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.7V
Maximum Power Dissipation
208 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +25 V
Latime
5.21mm
Transistor Material
SiC
Typical Gate Charge @ Vgs
49.2 nC @ 20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Lungime
16.13mm
Inaltime
21.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 33,17
€ 33,17 Buc. (fara TVA)
€ 39,47
€ 39,47 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 33,17
€ 33,17 Buc. (fara TVA)
€ 39,47
€ 39,47 Buc. (cu TVA)
Standard
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 5 | € 33,17 |
| 6 - 14 | € 30,72 |
| 15+ | € 29,67 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
31 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
208 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.7V
Maximum Power Dissipation
208 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +25 V
Latime
5.21mm
Transistor Material
SiC
Typical Gate Charge @ Vgs
49.2 nC @ 20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Lungime
16.13mm
Inaltime
21.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse