Vishay P-Channel MOSFET, 185 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 TP0610K-T1-E3
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
185 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
9 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
-3V
Minimum Gate Threshold Voltage
-1V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
2.64mm
Lungime
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.7 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
-1.4V
Inaltime
1.02mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 420,00
€ 0,14 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 508,20
€ 0,169 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 420,00
€ 0,14 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 508,20
€ 0,169 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
185 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
9 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
-3V
Minimum Gate Threshold Voltage
-1V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
2.64mm
Lungime
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.7 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
-1.4V
Inaltime
1.02mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse