P-channel MOSFET 60V 185mA 6 Ohm SOT-23

Nr. stoc RS: 152-6382PProducator: VishayCod de producator: TP0610K-T1-E3
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

185 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

9 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

-3V

Minimum Gate Threshold Voltage

-1V

Maximum Power Dissipation

350 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

2.64mm

Lungime

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.7 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

-1.4V

Inaltime

1.02mm

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

P-channel MOSFET 60V 185mA 6 Ohm SOT-23
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 25.

Productie -

Disponibil in multiplu de 25.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

25

Disponibil in multiplu de 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

P-channel MOSFET 60V 185mA 6 Ohm SOT-23
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 25.

Productie -

Disponibil in multiplu de 25.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

25

Disponibil in multiplu de 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

185 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

9 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

-3V

Minimum Gate Threshold Voltage

-1V

Maximum Power Dissipation

350 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

2.64mm

Lungime

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.7 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

-1.4V

Inaltime

1.02mm

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe