Vishay N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB SUP70040E-GE3

Nr. stoc RS: 124-2249Producator: VishayCod de producator: SUP70040E-GE3
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

TO-220AB

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

4.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

4.65mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.51mm

Typical Gate Charge @ Vgs

76 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

15.49mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.5V

Tara de origine

Taiwan, Province Of China

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 17,80

€ 3,56 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 21,18

€ 4,236 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Vishay N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB SUP70040E-GE3
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

5

Disponibil in multiplu de 5
5€ 17,80
10€ 35,60
15€ 53,40
20€ 71,20
25€ 89,00
30€ 106,80
35€ 124,60
40€ 142,40
45€ 160,20
50€ 130,50
55€ 143,55
60€ 156,60
65€ 169,65
70€ 182,70
75€ 195,75

€ 17,80

€ 3,56 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 21,18

€ 4,236 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Vishay N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB SUP70040E-GE3
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

5

Disponibil in multiplu de 5
5€ 17,80
10€ 35,60
15€ 53,40
20€ 71,20
25€ 89,00
30€ 106,80
35€ 124,60
40€ 142,40
45€ 160,20
50€ 130,50
55€ 143,55
60€ 156,60
65€ 169,65
70€ 182,70
75€ 195,75

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Pachet
5 - 45€ 3,56€ 17,80
50 - 120€ 2,61€ 13,05
125 - 245€ 2,34€ 11,70
250 - 495€ 2,07€ 10,35
500+€ 1,88€ 9,40

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

TO-220AB

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

4.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

4.65mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.51mm

Typical Gate Charge @ Vgs

76 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

15.49mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.5V

Tara de origine

Taiwan, Province Of China

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe