Vishay Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 A, 40 (Channel 1) V, 40 (Channel 2) V, 6-Pin PowerPAK SO-8L Dual SQJ208EP-T1_GE3

Nr. stoc RS: 188-5101Producator: VishayCod de producator: SQJ208EP-T1_GE3
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A, 60 A

Maximum Drain Source Voltage

40 (Channel 1) V, 40 (Channel 2) V

Tip pachet

PowerPAK SO-8L Dual

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

0.0067 (Channel 2) Ω, 0.016 (Channel 1) Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.3 (Channel 1) V, 2.4 (Channel 2) V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.3 (Channel 1) V, 1.4 (Channel 2) V

Maximum Power Dissipation

27 W, 48 W

Transistor Configuration

Dual

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

2

Latime

4.47mm

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

22 nC @ 10 V (Channel 1), 48.2 nC @ 10 V (Channel 2)

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.01mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 12,30

€ 1,23 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 14,88

€ 1,488 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Vishay Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 A, 40 (Channel 1) V, 40 (Channel 2) V, 6-Pin PowerPAK SO-8L Dual SQJ208EP-T1_GE3
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10€ 12,30
20€ 24,60
30€ 36,90
40€ 49,20
50€ 61,50
60€ 73,80
70€ 86,10
80€ 98,40
90€ 110,70
100€ 116,00
110€ 127,60
120€ 139,20
130€ 150,80
140€ 162,40
150€ 174,00

€ 12,30

€ 1,23 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 14,88

€ 1,488 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Vishay Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 A, 40 (Channel 1) V, 40 (Channel 2) V, 6-Pin PowerPAK SO-8L Dual SQJ208EP-T1_GE3

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10€ 12,30
20€ 24,60
30€ 36,90
40€ 49,20
50€ 61,50
60€ 73,80
70€ 86,10
80€ 98,40
90€ 110,70
100€ 116,00
110€ 127,60
120€ 139,20
130€ 150,80
140€ 162,40
150€ 174,00

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
10 - 90€ 1,23€ 12,30
100 - 240€ 1,16€ 11,60
250 - 490€ 0,96€ 9,60
500 - 990€ 0,78€ 7,80
1000+€ 0,65€ 6,50

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A, 60 A

Maximum Drain Source Voltage

40 (Channel 1) V, 40 (Channel 2) V

Tip pachet

PowerPAK SO-8L Dual

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

0.0067 (Channel 2) Ω, 0.016 (Channel 1) Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.3 (Channel 1) V, 2.4 (Channel 2) V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.3 (Channel 1) V, 1.4 (Channel 2) V

Maximum Power Dissipation

27 W, 48 W

Transistor Configuration

Dual

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

2

Latime

4.47mm

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

22 nC @ 10 V (Channel 1), 48.2 nC @ 10 V (Channel 2)

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.01mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe