Vishay ThunderFET N-Channel MOSFET, 30 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS468DN-T1-GE3

Nr. stoc RS: 787-9383Producator: VishayCod de producator: SIS468DN-T1-GE3
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Serie

ThunderFET

Tip pachet

PowerPAK 1212-8

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

32 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

52 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

3.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

18.1 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1.12mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 7,25

€ 1,45 Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)

€ 8,77

€ 1,754 Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)

Vishay ThunderFET N-Channel MOSFET, 30 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS468DN-T1-GE3
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

5

Disponibil in multiplu de 5
5€ 7,25
10€ 14,50
15€ 21,75
20€ 29,00
25€ 36,25
30€ 43,50
35€ 50,75
40€ 58,00
45€ 65,25
50€ 72,50
55€ 79,75
60€ 87,00
65€ 94,25
70€ 101,50
75€ 108,75

€ 7,25

€ 1,45 Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)

€ 8,77

€ 1,754 Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)

Vishay ThunderFET N-Channel MOSFET, 30 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS468DN-T1-GE3

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

5

Disponibil in multiplu de 5
5€ 7,25
10€ 14,50
15€ 21,75
20€ 29,00
25€ 36,25
30€ 43,50
35€ 50,75
40€ 58,00
45€ 65,25
50€ 72,50
55€ 79,75
60€ 87,00
65€ 94,25
70€ 101,50
75€ 108,75

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Serie

ThunderFET

Tip pachet

PowerPAK 1212-8

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

32 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

52 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

3.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

18.1 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1.12mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe