N-Channel MOSFET, 30 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SIS468DN-T1-GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Serie
ThunderFET
Tip pachet
PowerPAK 1212-8
Montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
52 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18.1 nC @ 10 V
Latime
3.4mm
Transistor Material
Si
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1.12mm
Detalii produs
N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 6,50
€ 1,30 Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)
€ 7,74
€ 1,547 Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)
Standard
5
€ 6,50
€ 1,30 Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)
€ 7,74
€ 1,547 Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)
Standard
5
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Banda |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,30 | € 6,50 |
| 50 - 245 | € 1,15 | € 5,75 |
| 250 - 495 | € 1,08 | € 5,40 |
| 500 - 1245 | € 0,82 | € 4,10 |
| 1250+ | € 0,72 | € 3,60 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Serie
ThunderFET
Tip pachet
PowerPAK 1212-8
Montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
52 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18.1 nC @ 10 V
Latime
3.4mm
Transistor Material
Si
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1.12mm
Detalii produs
N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse