Vishay E N-Channel MOSFET, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin IPAK SIHU6N80AE-GE3

Nr. stoc RS: 200-6869Producator: VishayCod de producator: SIHU6N80AE-GE3
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.2 A, 5 A

Maximum Drain Source Voltage

850 V

Serie

E

Tip pachet

IPAK (TO-251)

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.95 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 30,00

€ 1,20 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

€ 36,30

€ 1,452 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)

Vishay E N-Channel MOSFET, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin IPAK SIHU6N80AE-GE3

€ 30,00

€ 1,20 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

€ 36,30

€ 1,452 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)

Vishay E N-Channel MOSFET, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin IPAK SIHU6N80AE-GE3

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
25 - 25€ 1,20€ 30,00
50 - 100€ 0,90€ 22,50
125 - 225€ 0,82€ 20,50
250 - 600€ 0,64€ 16,00
625+€ 0,61€ 15,25

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.2 A, 5 A

Maximum Drain Source Voltage

850 V

Serie

E

Tip pachet

IPAK (TO-251)

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.95 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe