Vishay D Series N-Channel MOSFET, 8.7 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB SIHP8N50D-GE3
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8.7 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Serie
D Series
Tip pachet
TO-220AB
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
850 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
156 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.51mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
4.65mm
Transistor Material
Si
Inaltime
9.01mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 7,90
€ 1,58 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 9,56
€ 1,912 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 7,90
€ 1,58 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 9,56
€ 1,912 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,58 | € 7,90 |
| 50 - 120 | € 1,41 | € 7,05 |
| 125 - 245 | € 1,24 | € 6,20 |
| 250 - 495 | € 1,16 | € 5,80 |
| 500+ | € 1,07 | € 5,35 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8.7 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Serie
D Series
Tip pachet
TO-220AB
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
850 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
156 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.51mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
4.65mm
Transistor Material
Si
Inaltime
9.01mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse