N-Channel MOSFET, 8.7 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB Vishay SIHP8N50D-GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8.7 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Serie
D Series
Tip pachet
TO-220AB
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
850 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
156 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
4.65mm
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Lungime
10.51mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
9.01mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 55,00
€ 1,10 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 65,45
€ 1,309 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 55,00
€ 1,10 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 65,45
€ 1,309 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,10 | € 55,00 |
| 100 - 200 | € 0,93 | € 46,50 |
| 250+ | € 0,81 | € 40,50 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8.7 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Serie
D Series
Tip pachet
TO-220AB
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
850 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
156 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
4.65mm
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Lungime
10.51mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
9.01mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse