N-Channel MOSFET, 25 A, 400 V, 3-Pin TO-247AC Vishay SIHG25N40D-GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Serie
D Series
Tip pachet
TO-247AC
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
170 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
278 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
5.31mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
44.4 nC @ 10 V
Inaltime
20.82mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 79,25
€ 3,17 Each (In a Tube of 25) (fara TVA)
€ 94,31
€ 3,772 Each (In a Tube of 25) (cu TVA)
25
€ 79,25
€ 3,17 Each (In a Tube of 25) (fara TVA)
€ 94,31
€ 3,772 Each (In a Tube of 25) (cu TVA)
25
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 3,17 | € 79,25 |
| 50 - 100 | € 2,97 | € 74,25 |
| 125+ | € 2,67 | € 66,75 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Serie
D Series
Tip pachet
TO-247AC
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
170 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
278 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
5.31mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
44.4 nC @ 10 V
Inaltime
20.82mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse