Vishay E Series N-Channel MOSFET, 19 A, 500 V, 3-Pin TO-247AC SIHG20N50E-GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Serie
E Series
Tip pachet
TO-247AC
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
179 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
5.31mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
20.82mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor
The E Series Power MOSFETs from Vishay are high-voltage transistors featuring ultra-low maximum on-resistance, low figure of merit and fast switching. They are available in a wide range of current ratings. Typical applications include servers and telecom power supplies, LED lighting, flyback converters, power factor correction (PFC) and switch mode power supplies (SMPS).
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 6,84
€ 3,42 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 8,14
€ 4,07 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Standard
2
€ 6,84
€ 3,42 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 8,14
€ 4,07 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Standard
2
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 3,42 | € 6,84 |
| 20 - 98 | € 3,18 | € 6,36 |
| 100 - 198 | € 2,85 | € 5,70 |
| 200 - 498 | € 2,65 | € 5,30 |
| 500+ | € 2,47 | € 4,94 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Serie
E Series
Tip pachet
TO-247AC
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
179 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
5.31mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
20.82mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor
The E Series Power MOSFETs from Vishay are high-voltage transistors featuring ultra-low maximum on-resistance, low figure of merit and fast switching. They are available in a wide range of current ratings. Typical applications include servers and telecom power supplies, LED lighting, flyback converters, power factor correction (PFC) and switch mode power supplies (SMPS).
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse