Vishay P-Channel MOSFET, 2 A, 200 V, 3-Pin D2PAK SIHF9620S-GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
40 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Lungime
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
4.83mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 9,40
€ 0,94 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 11,19
€ 1,119 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 9,40
€ 0,94 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 11,19
€ 1,119 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,94 | € 9,40 |
| 100 - 240 | € 0,70 | € 7,00 |
| 250 - 490 | € 0,57 | € 5,70 |
| 500 - 990 | € 0,50 | € 5,00 |
| 1000+ | € 0,47 | € 4,70 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
40 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Lungime
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
4.83mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse