N-Channel MOSFET, 5.3 A, 500 V, 3-Pin TO-220FP Vishay SIHF5N50D-E3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.3 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Serie
D Series
Tip pachet
TO-220FP
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
4.83mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
10.63mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Inaltime
9.8mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 56,50
€ 1,13 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 67,24
€ 1,345 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 56,50
€ 1,13 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 67,24
€ 1,345 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.3 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Serie
D Series
Tip pachet
TO-220FP
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
4.83mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
10.63mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Inaltime
9.8mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse