Vishay EF Series N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V, 3-Pin D2PAK SIHB28N60EF-GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
28 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serie
EF Series
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
123 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
9.65mm
Lungime
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
80 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
4.83mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 2.910,00
€ 2,91 Buc. (Intr-o punga de 1000) (fara TVA)
€ 3.462,90
€ 3,463 Buc. (Intr-o punga de 1000) (cu TVA)
1000
€ 2.910,00
€ 2,91 Buc. (Intr-o punga de 1000) (fara TVA)
€ 3.462,90
€ 3,463 Buc. (Intr-o punga de 1000) (cu TVA)
1000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
28 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serie
EF Series
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
123 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
9.65mm
Lungime
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
80 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
4.83mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse