Vishay EF Series N-Channel MOSFET, 21 A, 600 V, 3-Pin D2PAK SIHB155N60EF-GE3

Nr. stoc RS: 653-175Producator: VishayCod de producator: SIHB155N60EF-GE3
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

21 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Serie

EF Series

Tip pachet

TO-263

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Channel Mode

Enhancement

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 131,00

€ 2,62 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)

€ 158,51

€ 3,17 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)

Vishay EF Series N-Channel MOSFET, 21 A, 600 V, 3-Pin D2PAK SIHB155N60EF-GE3

€ 131,00

€ 2,62 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)

€ 158,51

€ 3,17 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)

Vishay EF Series N-Channel MOSFET, 21 A, 600 V, 3-Pin D2PAK SIHB155N60EF-GE3

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Tub
50 - 200€ 2,62€ 131,00
250+€ 2,54€ 127,00

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

21 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Serie

EF Series

Tip pachet

TO-263

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Channel Mode

Enhancement

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe