Vishay Single E Type N-Channel MOSFET, 21 A, 600 V TO-220
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
21A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Tip pachet
TO-220
Series
E
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.18Ω
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
86nC
Maximum Power Dissipation Pd
35W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
±30 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Forward Voltage Vf
1.2V
Temperatura maxima de lucru
150°C
Transistor Configuration
Single
Latime
10.3 mm
Lungime
13.8mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 130,00
€ 2,60 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 157,30
€ 3,146 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 130,00
€ 2,60 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 157,30
€ 3,146 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
50
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,60 | € 130,00 |
| 100 - 200 | € 2,42 | € 121,00 |
| 250+ | € 2,16 | € 108,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
21A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Tip pachet
TO-220
Series
E
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.18Ω
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
86nC
Maximum Power Dissipation Pd
35W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
±30 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Forward Voltage Vf
1.2V
Temperatura maxima de lucru
150°C
Transistor Configuration
Single
Latime
10.3 mm
Lungime
13.8mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse