Vishay P-Channel MOSFET, 30.3 A, 30 V, 6-Pin PowerPAK SC-70 SiA471DJ-T1-GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
30.3 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
PowerPAK SC-70
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
24 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
19.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +16 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
2.15mm
Lungime
2.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
0.75mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 5,00
€ 0,20 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 5,95
€ 0,238 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Standard
25
€ 5,00
€ 0,20 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 5,95
€ 0,238 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Standard
25
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
30.3 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
PowerPAK SC-70
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
24 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
19.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +16 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
2.15mm
Lungime
2.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
0.75mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse