Vishay P-Channel MOSFET, 4.3 A, 20 V, 4-Pin MICRO FOOT SI8489EDB-T2-E1

Nr. stoc RS: 818-1438PProducator: VishayCod de producator: SI8489EDB-T2-E1
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

4.3 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

MICRO FOOT

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

82 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.5V

Maximum Power Dissipation

1.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Latime

1mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

17.5 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

0.268mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 52,00

€ 0,26 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 62,92

€ 0,315 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Vishay P-Channel MOSFET, 4.3 A, 20 V, 4-Pin MICRO FOOT SI8489EDB-T2-E1
Selectati tipul de ambalaj

€ 52,00

€ 0,26 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 62,92

€ 0,315 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Vishay P-Channel MOSFET, 4.3 A, 20 V, 4-Pin MICRO FOOT SI8489EDB-T2-E1

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Rola
200 - 980€ 0,26€ 5,20
1000 - 1980€ 0,23€ 4,60
2000 - 4980€ 0,21€ 4,20
5000+€ 0,20€ 4,00

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

4.3 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

MICRO FOOT

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

82 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.5V

Maximum Power Dissipation

1.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Latime

1mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

17.5 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

0.268mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe