Vishay Type N-Channel MOSFET, 4.8 A, 150 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7898DP-T1-E3

Nr. stoc RS: 180-7862Producator: VishayCod de producator: SI7898DP-T1-E3
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Tip pachet

PowerPAK SO-8

Montare

Surface

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.085Ω

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Temperatura maxima de lucru

150°C

Latime

5.26 mm

Inaltime

1.12mm

Lungime

6.25mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21

Automotive Standard

No

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 8,05

€ 1,61 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 9,74

€ 1,948 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Vishay Type N-Channel MOSFET, 4.8 A, 150 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7898DP-T1-E3
Selectati tipul de ambalaj

€ 8,05

€ 1,61 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 9,74

€ 1,948 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Vishay Type N-Channel MOSFET, 4.8 A, 150 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7898DP-T1-E3

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

CantitatePret unitarPer Pachet
5 - 45€ 1,61€ 8,05
50 - 120€ 1,44€ 7,20
125 - 245€ 1,15€ 5,75
250 - 495€ 0,92€ 4,60
500+€ 0,82€ 4,10

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Tip pachet

PowerPAK SO-8

Montare

Surface

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.085Ω

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Temperatura maxima de lucru

150°C

Latime

5.26 mm

Inaltime

1.12mm

Lungime

6.25mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21

Automotive Standard

No

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe