Vishay Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7288DP-T1-GE3
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
PowerPAK SO-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
15.6 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Lungime
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Inaltime
1.07mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 121,00
€ 1,21 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 146,41
€ 1,464 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
100
€ 121,00
€ 1,21 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 146,41
€ 1,464 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
100
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 1,21 | € 12,10 |
| 250 - 490 | € 1,01 | € 10,10 |
| 500 - 990 | € 0,93 | € 9,30 |
| 1000+ | € 0,86 | € 8,60 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
PowerPAK SO-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
15.6 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Lungime
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Inaltime
1.07mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse