Vishay Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4.7 A, 6.8 A, 40 V, 8-Pin SOIC SI4599DY-T1-GE3
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4.7 A, 6.8 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
42.5 mΩ, 62 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
3 W, 3.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11.7 nC @ 10 V, 25 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
4mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.55mm
Tara de origine
China
Detalii produs
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 16,40
€ 0,82 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)
€ 19,84
€ 0,992 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)
Standard
20
€ 16,40
€ 0,82 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)
€ 19,84
€ 0,992 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
20
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,82 | € 16,40 |
| 200 - 480 | € 0,62 | € 12,40 |
| 500 - 980 | € 0,52 | € 10,40 |
| 1000 - 1980 | € 0,48 | € 9,60 |
| 2000+ | € 0,39 | € 7,80 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4.7 A, 6.8 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
42.5 mΩ, 62 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
3 W, 3.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11.7 nC @ 10 V, 25 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
4mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.55mm
Tara de origine
China
Detalii produs
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse