N-Channel MOSFET Transistor, 7.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4410BDY-T1-E3

Nr. stoc RS: 710-4702Producator: VishayCod de producator: SI4410BDY-T1-E3
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7.5 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOIC

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

14 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

1.4 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

13 nC @ 5 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Latime

4mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.55mm

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
Vishay N-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC Si4134DY-T1-GE3
Vishay N-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC Si4134DY-T1-GE3Producator: Vishay
€ 0,871Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

N-Channel MOSFET Transistor, 7.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4410BDY-T1-E3
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

N-Channel MOSFET Transistor, 7.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4410BDY-T1-E3

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
Vishay N-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC Si4134DY-T1-GE3
Vishay N-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC Si4134DY-T1-GE3Producator: Vishay
€ 0,871Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7.5 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOIC

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

14 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

1.4 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

13 nC @ 5 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Latime

4mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.55mm

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
Vishay N-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC Si4134DY-T1-GE3
Vishay N-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC Si4134DY-T1-GE3Producator: Vishay
€ 0,871Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)