Vishay N-Channel MOSFET, 13.6 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4162DY-T1-GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13.6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V, 8.8 nC @ 4.5 V
Latime
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.5mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 6,40
€ 1,28 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 7,62
€ 1,523 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 6,40
€ 1,28 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 7,62
€ 1,523 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,28 | € 6,40 |
| 50 - 245 | € 1,20 | € 6,00 |
| 250 - 495 | € 1,07 | € 5,35 |
| 500 - 1245 | € 1,00 | € 5,00 |
| 1250+ | € 0,93 | € 4,65 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13.6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V, 8.8 nC @ 4.5 V
Latime
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.5mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse