Vishay P-Channel MOSFET, 6 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 SI2333DDS-T1-GE3
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
19 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 8 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.02mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 420,00
€ 0,14 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 508,20
€ 0,169 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 420,00
€ 0,14 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 508,20
€ 0,169 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
19 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 8 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.02mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse