Vishay P-Channel MOSFET, 530 mA, 150 V, 3-Pin SOT-23 SI2325DS-T1-E3

Nr. stoc RS: 710-3263Producator: VishayCod de producator: SI2325DS-T1-E3
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

530 mA

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

1.2 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

750 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

7.7 nC @ 10 V

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3.04mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1.02mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 5,35

€ 1,07 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 6,47

€ 1,295 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Vishay P-Channel MOSFET, 530 mA, 150 V, 3-Pin SOT-23 SI2325DS-T1-E3
Selectati tipul de ambalaj

€ 5,35

€ 1,07 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 6,47

€ 1,295 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Vishay P-Channel MOSFET, 530 mA, 150 V, 3-Pin SOT-23 SI2325DS-T1-E3

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

530 mA

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

1.2 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

750 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

7.7 nC @ 10 V

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3.04mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1.02mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe